4芯屏蔽电缆YCYM

4芯屏蔽电缆YCYM

三极管有三种工作状态，分别是放大、饱和、截止。使用多的是工作在放大状态。NPN型三极管其两边各位一块N型半导体，中间为一块很薄的P型半导体。这三个区域分别为发射区、集电区和基区，从三极管的三个区各引出一个电极，相应的称为发射极（E）、集电极（C）和基极（B）。虽然发射区和集电区都是N型半导体，但是发射区的掺杂浓度比集电区的掺杂浓度要高得多。另外在几何尺寸上，集电区的面积比发射区的面积要大。由此可见，发射区和集电区是不对称的。

EIB总线用于连接整个EIB 系统中的传感器、执行器部件。内芯有两组线，分别是红黑线和黄白线，一般情况下红线为“＋EIB"信号接入，黑线为“-EIB"信号接入，黄白线组为备用。EIB总线的敷设可放置在石膏表面、内部或下面，可放置在管道中，干燥或潮湿的房间里。安装在户外时，需加保护，避免阳光直射。EIB标准的照明控制系统经过了DIN VDE 0829标准测试，另外EIB总线亦可用来作为语音信号传输导线（非传统线）。

4芯屏蔽电缆YCYM



MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

技术参数：

电缆类型：J-Y(St)Y 2×2×0.8 （EIB 命名法）

运行参数：必须在额定安全电压允许范围内

持续电流2.5A（短路和过载保护需求）

机械特性：弯曲半径100mm

温度特性：皮线 -5℃～50℃

内芯 -30℃～70℃

可承受拉伸范围：值100N

导体：裸铜丝，直径0.8mm铜线对绞组颜色白-黑黄-红

：铝层层，Φ0.4mm连通线。

外护套：PVC,，绿色，外径6.8mm

YCYM2*2*0.8电缆重量：55kg/km

20℃是直流电阻不大于36.6欧姆/km

4芯屏蔽电缆YCYM



两线制与四线制互改从上述可知各种线制变送器都能存在，那总是有存在的理由，否则就不会有那么多的线制了，由用户来改动线制是很困难的，再者实际意义也不大。如果要把传输信号为0-10mA.DC的四线制变送器改为两线制，首先遇到的问题，就是其起始电流为零，在电流为零状态下，变送器的电子放大器是无法建立工作点的，因此将难于正常工作。如果用直流电源，并保证仪表原来的恒流特性，当变送器在负载电阻为0-1.5KΩ时，与其串联的反馈动圈电阻2KΩ左右，当输出为10mA时，这两部分的电压降将大于24V,也就是说用24V.DC供电，负载为0-1.5KΩ时，要保证恒流特性是不可能的，也就谈不上用两线制传输了。

电缆类型：J-Y(St)Y 1×2×0.8 （EIB 命名法）

运行参数：必须在额定安全电压允许范围内

 持续电流2.5A（短路和过载保护需求）

导体：裸铜丝，直径0.8mm铜线

电缆外护套：PVC,，绿色，外径6mm

重量：42kg/km