MSLYFVZ-75-9信号电缆

MSLYFVZ-75-9信号电缆型号及规格：，指标特性：内导体铜线或铜包铝物理发泡绝缘织外导体

软铜线 3 × 24 编织黑色聚乙烯内护套

MSLYFVZ-75-9信号电缆阻燃聚氯乙烯外护套 电气特性：绝缘耐压（介电强度） 1.8KV1min 不击穿

内导体直流电阻（ 2 0 ℃时 ）≤ 5.5Ω/km

电压驻波比 0-300MHZ 内≤ 1.2绝缘电阻：＞1000MΩ?km

特性阻抗 75 ± 3Ω

耦合损耗 60MHZ 75 ± 10dB环境温度：－40 ～＋55 ℃

安装敷设半径 －15 ℃弯曲半径：125mm

MSLYFVZ-75-9信号电缆产品用途及特点

MSLYFVZ-75-9信号电缆本产品适用于矿山、地铁、地下隧道以及地下设施在建筑物内部在无线电波不能直接传播与传播不良的特殊环境下作通信系统传输线。

二、MSLYFYVZ-75-9矿用同轴电缆主要技术特性

使用频率: 1GHz 以下使用环境温度: -25"C~70'C

数设温度:不低于-10C

弯曲半径:不大于电缆外径的15倍。

MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。



两路比较器的输出端与R-S触发器的置位和复位相接，从而决定芯片3脚输出端的电平状态。当芯片2脚（/TR端）输入信号电压低于1/3Vcc时，N1输出端为“0"，R-S触发器被置位，芯片3脚变高电平，（在复位信号未输入之前）并保持；当芯片6脚输入电压高于2/3Vcc时，N2输出端为“1"，R-S触发器被复位（在置位信号未输入之前）并保持。芯片4为优先复位端（低电平有效），不用时可接Vcc。显然，作为开关电路应用时，只要控制芯片2脚电压低于1/3Vcc，电路处于“开"态（3脚为“1"）；控制芯片6脚高于2/3Vcc，电路即处于“关"态（3脚为“0"），即为开关（双稳态）电路。