品牌 | 其他品牌 | 加工定制 | 是 |
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护套材质 | PVC | 线芯材质 | 紫铜线 |
材料形状 | 圆线 | 芯数 | 4 |
拉伸强度 | 60 | 电线最大外径 | 18mm |
绝缘厚度 | 1mm | 产品认证 | ccc |
下图中红色框中的选项一定要勾上,否则会出现变量只能读取不能写入的现象。注意本站号:当打开时是10进制,这里必须把10进制转化成16进制,以方便组态王中使用。使用外置以太网模块个步骤同使用内置以太网模块,本例以外置三菱以太网模块QJ17E71-100为例;设置“网络参数"点击“MELSECNET/以太网"配置外置以太网模块可按照实际情况选择上图中的“网络类型",“起始I/O号",“网络号",“组号",“站号",并选择对应“模式"。
室外单模光缆GYTS的结构是将 250μm 光纤套入高模量材料制成的松套管中,松套管内填充防水化合物。缆芯的中心是一根金属加强芯,对于某些芯数的光缆来说,金属加强芯外还需要挤上一层聚乙烯(PE)。松套管(和填充绳)围绕中心加强芯绞合成紧凑和圆形的缆芯,缆芯内的缝隙充以阻水填充物。涂塑铝带(APL)纵包后挤一层聚乙烯内护套,双面涂塑钢带(PSP)纵包后挤制聚乙烯护套成缆。
● 松套管保护一次涂覆光纤
● 松套管绞合在加强件的周围
● 加强件在光缆的中心
● 采用“SZ"双向层绞技术
● 逐道工序阻水油膏填充,全截面阻水
● 钢(铝)带搭边粘结可靠,强度高,扭转不开裂
● 光纤余长控制稳定
● 成缆后,光纤的附加衰减近乎于零,色散值无变化
● 环境性能优良,适用温度区间为-10℃~+70℃
● 适合于架空、管道、直埋等敷设方式
● 直埋
● 地埋
● 穿管
● 金属中心加强件(磷化钢丝)
● 双面覆塑铝带-聚乙烯粘结内护套
● 双面覆塑皱纹钢带-聚乙烯粘结内护套
● 双面覆塑铝带-聚乙烯粘结护套,防潮性能优良
● 双护层双铠装结构,抗压扁力性能优良
● 可有效防止啮齿类动物的损害
● 长途通信、局间通信
● 尤其适用于对防潮、防鼠等要求较高的场合
光缆芯数 | 光缆外径 | 光缆重量 | 弯曲半径 | 允许张力(N) | 允许侧压力(N/100MM) | |||
静态 | 动态 | 短期 | 长期 | 短期 | 长期 | |||
2-24 | 13.3 | 210 | 12.5 | 25 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 |
26-36 | 13.6 | 220 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
38-60 | 14.1 | 225 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
62-72 | 14.6 | 255 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
74-96 | 16.2 | 305 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
98-120 | 17.7 | 350 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
122-144 | 19.1 | 395 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
146-216 | 19.6 | 420 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
218-240 | 22.8 | 530 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 | ||
242-288 | 25.0 | 620 | 3000 | 1000 | 3000 | 1000 |
通信光纤具体分为G.651、G.652、G.653、G.654、G.655和G.656 ;G657七个大类和若干子类
G.651多模光纤(OM2)主要应用于局域网,不适用于长距离传输
G.652单模光纤(色散非位移单模光纤)常用单模光纤
G.653单模光纤(色散位移光纤)
G. 654光纤(截止波长位移光纤)是超低损耗光纤,也称为1550nm性能光纤,主要用于跨洋光缆
G.655单模光纤(非零色散位移光纤)
G.657(耐弯光纤) FTTH光缆常用 G.657A光纤与G.652光纤兼容
传感器+运算放大器+ADC+处理器是运算放大器的典型应用电路,在这种应用中,一个典型的问题是传感器提供的电流非常低,在这种情况下,如何完成信号放大?对于微弱信号的放大,只用单个放大器难以达到好的效果,必须使用一些较特别的方法和传感器激励手段,而使用同步检测电路结构可以得到非常好的测量效果。这种同步检测电路类似于锁相放大器结构,包括传感器的方波激励,电流转电压放大器,和同步解调三部分。需要注意的是电流转电压放大器需选用输入偏置电流极低的运放。
三极管按材料分有两种:硅管和锗管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电);两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e(Emitter)、基极b(Base)和集电极c(Collector)。